5秒后页面跳转
2SC4132T101P PDF预览

2SC4132T101P

更新时间: 2024-01-13 07:14:59
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
2000mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SC4132T101P 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.62
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):82JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SC4132T101P 数据手册

 浏览型号2SC4132T101P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4132T101P的Datasheet PDF文件第3页 

与2SC4132T101P相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SC4132T200R ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

获取价格

2SC4133 ETC TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK

获取价格

2SC4133-AC ONSEMI Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

获取价格

2SC4134 SANYO High-Voltage Switching Applications

获取价格

2SC4134 KEXIN High-Voltage Switching Applications

获取价格

2SC4134 TYSEMI High breakdown voltage and large current capacity. Fast switching speed.

获取价格