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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC4102
2SC4102 PDF预览

2SC4102

更新时间： 2024-02-26 14:07:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
High-voltage Amplifier Transistor(120V, 50mA)

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2SC4102 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

2SC4102 数据手册

  
2SC4102 / 2SC3906K / 2SC2389S  
Transistors  
High-voltage Amplifier Transistor  
(120V, 50mA)  
2SC4102 / 2SC3906K / 2SC2389S  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V)  
2) Complements the 2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S.  
2SC4102  
1.25  
2.1  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
120  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
120  
V
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
5
V
I
C
50  
mA  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
JEDEC : SOT-323  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
2SC4102 / 2SC3906K  
0.2  
Collector power  
dissipation  
P
C
W
2SC2389S  
0.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
2SC3906K  
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SC4102  
UMT3  
RS  
2SC3906K  
SMT3  
2SC2389S  
1.6  
Package  
SPT  
RS  
−
hFE  
RS  
2.8  
Marking  
Code  
T
∗
T∗  
T106  
3000  
T146  
TP  
Basic ordering unit (pieces)  
Denotes hFE  
3000  
5000  
0.3Min.  
∗
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
(1) Emitter  
(2) Base  
JEDEC : SOT-346  
(3) Collector  
2SC2389S  
4
2
0.45  
0.45  
2.5 0.5  
5
2
Taping specifications  
( )  
1
(
)
( )  
3
ROHM : SPT  
EIAJ : SC-72  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
120  
120  
5
Typ.  
−
−
−
−
−
−
−
140  
2.5  
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
V
C
−
V
E
=50µA  
CB=100V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
180  
−
0.5  
0.5  
0.5  
560  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
I
C/I  
B
=10mA/1mA  
=2mA  
h
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE=6V, IC  
CE=12V, I  
CB=12V, I  
Transition frequency  
f
T
E
=−2mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Output capacitance  
Cob  
−
−
E
1

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2SC4102 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC4102T106R ROHM

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-70

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4102_1 ROHM

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2SC4102_13 ROHM

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 		NPN 50mA 120V High Voltage Amplifier transistors
2SC4102E ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70
2SC4102FRAT106 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4102FRAT106R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4102R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70
2SC4102S ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70
2SC4102T106/E ROHM

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 		50mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4102T106/R ROHM

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 		50mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UMT3, SC-70, 3 PIN

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