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2SC4102T106/S PDF预览

2SC4102T106/S

更新时间： 2024-10-01 15:25:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 126K
描述
50mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UMT3, SC-70, 3 PIN

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2SC4102T106/S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.39
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2SC4102T106/S 数据手册

 浏览型号2SC4102T106/S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4102T106/S的Datasheet PDF文件第3页 
High-voltage Amplifier Transistor (120V, 50mA)  
2SC4102 / 2SC3906K  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V)  
2) Complements the 2SA1579 / 2SA1514K  
2SC4102  
1.25  
2.1  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
120  
120  
V
0.1Min.  
5
50  
V
Each lead has same dimensions  
I
C
mA  
W
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
JEDEC : SOT-323  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
C
0.2  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
2SC3906K  
Packaging specifications and hFE  
1.6  
Type  
2SC4102  
UMT3  
RS  
2SC3906K  
2.8  
Package  
SMT3  
hFE  
RS  
Marking  
Code  
T
∗
T∗  
0.3Min.  
T106  
3000  
T146  
Each lead has same dimensions  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
JEDEC : SOT-346  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
Denotes hFE  
∗
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
120  
120  
5
Typ.  
−
−
−
−
−
−
−
140  
2.5  
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
I
I
I
C
=50μA  
=1mA  
V
C
−
V
E
=50μA  
CB=100V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
180  
−
0.5  
0.5  
0.5  
560  
−
μA  
μA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
I
C/I  
B
=10mA/1mA  
h
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE=6V, I  
CE=12V, I  
CB=12V, I  
C
=2mA  
=−2mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Transition frequency  
f
T
E
E
Output capacitance  
Cob  
−
−
www.rohm.com  
2012.01 - Rev.B  
1/2  
c
○ 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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与2SC4102T106/S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4102T106/SE ROHM

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 		50mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4102T106E ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC4102T106R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-70
2SC4102T106S ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-70
2SC4102T106SE ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4102T107/RE ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4102T107/RS ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4102T107/S ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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