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2SC3691_2014

更新时间： 2022-02-26 13:15:44

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锦美电子 - JMNIC		/
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3页	309K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3691_2014 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SC3691

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·Large current ,high speed

·Low saturation voltage

APPLICATIONS

·Designed for high speed and power

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

100

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-peak

Base current

Open base

Open collector

I_CM

I_B

2.5

T_a=25℃

T_C=25℃

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3

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