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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.44 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JESD-30 代码： | R-PSIP-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3470FRR | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
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| 2SC3470FTZ | RENESAS |
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100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPAK-3 |
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| 2SC3470RR | HITACHI |
获取价格 |
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC3470TZ | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC3474 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, SOLENOID DRIVE APPLICATIONS) |
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| 2SC3474(2-7B2A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B2A, 3 PIN, BIP General Pur |
|
| 2SC3474(2-7J1A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP |
|
| 2SC3474(SM) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252VAR |
|
| 2SC3474_05 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Applications Solenoid Drive Applications |
|
| 2SC3475 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
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