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2SC3365

更新时间： 2024-02-28 02:56:16

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
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4页	151K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3365 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.45	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	140 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC3365 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3365

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

400

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter sustaining voltage I_C=0.2A ;R_BE=∞,L=100mH

Emitter-base breakdown voltage

I_E=10mA ;I_C=0

Collector-emitter saturation voltage I_C=5A; I_B=1A

1.0

1.5

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

DC current gain

I_C=5A ;I_B=1A

V_CB=400V; I_E=0

μA

I_CEO

_CE=350V; R_BE=∞

h_FE-1

I_C=5A ; V_CE=5V

I_C=10A ; V_CE=5V

h_FE-2

DC current gain

Switching times resistive load

t_on

t_s

t_f

Turn-on time

Storage time

Fall time

1.0

2.5

1.0

μs

I_C=10A; I_B1=-I_B2=2A

V_CC≈150V

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