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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 55 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3181O | ISC |
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Transistor |
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| 2SC3182 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3182 | TOSHIBA |
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SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
|
| 2SC3182N | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3182N | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3182N | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3182N_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3182N_2014 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3182NO | ISC |
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暂无描述 |
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| 2SC3182N-O | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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