2SC3181O

更新时间： 2024-02-15 01:55:58

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	161K
描述
Transistor

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2SC3181O 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SC3181O 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3181N

DESCRIPTION

·With TO-3P(I) package

·Complement to type 2SA1264N

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 55W high fidelity audio

frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

120

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

I_B

Base current

0.8

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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