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2SC3190

更新时间： 2023-12-06 20:10:11

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先科 - SWST		晶体管
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1页	41K
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小信号晶体管

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2SC3190 数据手册

2SC3190

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

High frequency low noise amplifier application

HF band amplifier application

The transistor is subdivided into three groups R,

O and Y, according to its DC current gain

On special request, these transistors can be

manufactured in different pin configurations.

1. Emitter 2. Collector 3. Base

TO-92 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

100

Emitter Current

I_E

-100

Power Dissipation

P_tot

400

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 12 V, I_C= 2 mA

Current Gain Group

h_FE

120

140

240

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 20 V

I_CBO

I_EBO

100

µA

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 2 V

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

0.4

Base Emitter Saturation Voltage

at I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

120

Transition Frequency

at V_CE= 10 V, I_C= 2 mA

MHz

Reverse Transfer Capacitance

at V_CE= 10 V, f = 1 MHz

C_re

Dated：22/08/2016 Rev：02

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