生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 6 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 35 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 30 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC3180N_15 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SC3180N_2014 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SC3180NO | ISC |
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Transistor | |
2SC3180N-O | TOSHIBA |
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暂无描述 | |
2SC3180N-R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power | |
2SC3180O | ISC |
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暂无描述 | |
2SC3180R | ISC |
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暂无描述 | |
2SC3181 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SC3181 | TOSHIBA |
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POWER AMPLIFIER APPLICATION | |
2SC3181N | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |