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2SC3180N

更新时间： 2024-02-07 08:50:00

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管放大器局域网
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4页	88K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3180N 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	55
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3180N 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3180N

DESCRIPTION

·With TO-3P(I) package

·Complement to type 2SA1263N

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 40W high fidelity audio

frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

I_B

Base current

0.6

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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