5秒后页面跳转
2SC3058_15 PDF预览

2SC3058_15

更新时间: 2022-02-26 12:56:07
品牌 Logo 应用领域
锦美电子 - JMNIC /
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SC3058_15 数据手册

 浏览型号2SC3058_15的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC3058_15的Datasheet PDF文件第3页 
Product Specification  
www.jmnic.com  
Silicon NPN Power Transistors  
2SC3058  
CHARACTERISTICS  
Tj=25unless otherwise specified  
SYMBOL  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
VCEsat  
VBEsat  
ICBO  
PARAMETER  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Collector cut-off current  
CONDITIONS  
MIN  
400  
600  
7
TYP.  
MAX  
UNIT  
V
IC=10mA ; IB=0  
IC=1mA; IE=0  
V
IE=1mA; IC=0  
V
IC=20A; IB=4A  
1.0  
1.5  
10  
10  
50  
40  
V
IC=20A; IB=4A  
V
VCB=500V; IE=0  
VEB=5V; IC=0  
μA  
μA  
IEBO  
Emitter cut-off current  
hFE-1  
DC current gain  
IC=1A ; VCE=5V  
IC=20A ; VCE=5V  
IC=4A ; VCE=10V  
IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz  
15  
10  
hFE-2  
DC current gain  
fT  
Transition frequency  
30  
MHz  
pF  
COB  
Collector output capacitance  
420  
JMnic  

与2SC3058_15相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SC3058_2014 JMNIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2SC3058A SAVANTIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2SC3058A ISC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2SC3059 FUJITSU Silicon High Speed Power Transistor

获取价格

2SC3060 FUJITSU Silicon High Speed Power Transistor

获取价格

2SC3060 ISC Silicon NPN Power Transistors

获取价格