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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 基于收集器的最大容量： | 0.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 850 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2756-LT24 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2756-T2B | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2756-T2BT22 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2756-T2BT24 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2757 | ISC |
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isc Silicon NPN RF Transistor |
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| 2SC2757 | RENESAS |
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UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SC2757-E | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC2757-F | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC2757-LE | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2757R | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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