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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.3 pF | 集电极-发射极最大电压： | 14 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最小功率增益 (Gp)： | 14 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2300 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2759-L | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2759-LU21 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2759-LU22 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2759-LU23 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2759-T2B | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2759-T2BU21 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2759-T2BU23 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2761 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2761 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2767 | NJSEMI |
获取价格 |
BIPOLAR TRANSISSTORS RATINGS AND SPECIFICATIONS |
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