2SC2735JC

更新时间： 2024-02-11 00:00:07

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
10页	48K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC2735JC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MPAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.79	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.5 pF	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1200 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2735JC 数据手册

2SC2735

Reverse Transfer Capacitance

vs. Collector to Base Voltage

Base Time Constant

vs. Collector Current

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

Emitter Common

_C= 0 V

f = 1 MHz

V_CB= 10 V

f = 31.8 MHz

Collector to Base Voltage V_CB(V)

Collector Current I_C(mA)

Oscillating Output Voltage

vs. Collector Current

Oscillating Output Voltage

vs. Supply Voltage

500

400

300

200

100

250

200

150

100

V_CC= 12 V

f_osc= 300 MHz

I_C= 7 mA

_osc= 300 MHz

Collector Current I_C(mA)

Supply Voltage V_CC(V)

1 2 345 6 7...10

下载PDF

与2SC2735JC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC2735JC01	HITACHI	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili	获取价格
2SC2735JCTL	HITACHI	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3	获取价格
2SC2735JCTR	HITACHI	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili	获取价格
2SC2735JCUL	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SC2735JCUR	HITACHI	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili	获取价格
2SC2735JCUR	RENESAS	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3	获取价格