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2SC2655

更新时间： 2024-01-04 02:49:38

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描述
TRANSISTOR (NPN)

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2SC2655 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2655 数据手册

RoHS

2SC2655

TO-92MOD

2SC2655 TRANSISTOR (NPN)

1. EMITTER

FEATURES

Power dissipation

2. COLLECTOR

3. BASE

P_CM

900

mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

123

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=100µA, I_E=0

Ic=10mA, I_B=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=100µA, I_C=0

V_CB=50V, I_E=0

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

V_CE=2V, I_C=500mA

V_CE=2V, I_C=1.5A

I_C=1A, I_B=0.05A

V_CE=2V, I_C=0.5A

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

240

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

0.5

1.2

MHz

100

Collector output capacitance

Tune on Time

C_ob

t_on

0.1

Vcc=30V, Ic=1A,

I_B1=-I_B2=0.05A

Switch time

t_stg

µs

Storage Time

Fall Time

1.0

0.1

t_f

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

70-140

120-240

Range

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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