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2SC2655L-Y-AP

更新时间： 2024-01-19 10:13:16
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 394K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SC2655L-Y-AP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SC2655L-Y-AP 数据手册

 浏览型号2SC2655L-Y-AP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
2SC2655L-O  
2SC2655L-Y  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
•
Collector of 0.9Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 2.0A  
Operating and storage junction temperature range: -55R to +150R  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
NPN  
•
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
•
·
·
•
Moisture Sensitivity Level 1  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
O
TO-92L  
Symbol  
Parameter  
Min  
50  
Max  
---  
Units  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100mAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=50Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
50  
5.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
1.0  
1.0  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
---  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
hFE(1)  
DC Current Gain  
(IC=0.5Adc, VCE=2.0Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=1.5Adc, VCE=2.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=1Adc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=1.0Adc, IB=50mA)  
70  
40  
---  
---  
240  
---  
---  
hFE(2)  
---  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
0.5  
1.2  
Vdc  
Vdc  
fT  
Transistor Frequency  
(IC=500mAdc, VCE=2.0Vdc,)  
100(Typ)  
MHz  
E
E
C
C
B
B
Cob  
Collector output capacitance  
(IE=0, VCB=10Vdc,f=1MHz)  
40(Typ)  
pF  
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
ton  
ts  
Turn-0n time  
(IB1=-IB2=0.05, VCC=30Vdc,IC=1Adc)  
Storage time  
(IB1=-IB2=0.05, VCC=30Vdc,IC=1Adc)  
0.1(Typ)  
1.0(Typ)  
0.1(Typ)  
us  
us  
us  
DIMENSIONS  
MM  
INCHES  
t
f
Fall time  
DIM  
A
MIN  
3.700  
4.000  
0.000  
0.350  
1.280  
4.700  
7.800  
13.80  
.600  
MAX  
4.100  
---  
MIN  
.146  
.157  
0.000  
.014  
.050  
.185  
.307  
.543  
.024  
.014  
MAX  
.161  
---  
NOTE  
(IB1=-IB2=0.05, VCC=30Vdc,IC=1Adc)  
B
C
D
E
0.300  
0.450  
1.580  
5.100  
8.200  
14.20  
.800  
0.012  
.018  
.062  
.201  
.323  
.559  
.031  
.022  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
Range  
O
Y
70-140  
120-240  
F
G
H
J
K
0.350  
.550  
Straight Lead  
Bent Lead  
1.270  
.050  
L
2.200  
2.440  
4.400  
2.800  
2.640  
5.600  
.086  
.096  
.173  
.110  
.104  
.220  
Straight Lead  
Bent Lead  
M
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: C  
2013/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2655L-Y-AP-HF MCC

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2SC2655L-Y-BP MCC

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2SC2655L-Y-BP-HF MCC

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2SC2655L-Y-T9N-B UTC

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 		POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS
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2SC2655-O UTC

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 		TRANSISTOR 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, 2-5J1A, TO-9
2SC2655-O-AE3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3
2SC2655-O-T9N-B UTC

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