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2SC2636S

更新时间: 2024-02-20 10:33:43
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 68K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-71

2SC2636S 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:1.5 pF集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.4 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1200 MHz
Base Number Matches:1

2SC2636S 数据手册

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Transistor  
2SC2636  
PC — Ta  
IC — VCE  
IC — IB  
500  
400  
300  
200  
100  
0
24  
20  
16  
12  
8
24  
20  
16  
12  
8
Ta=25˚C  
VCE=10V  
Ta=25˚C  
IB=300µA  
250µA  
200µA  
150µA  
100µA  
50µA  
4
4
0
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
0
6
12  
18  
0
150  
300  
450  
(
)
( )  
V
(
)
Ambient temperature Ta ˚C  
Collector to emitter voltage VCE  
Base current IB µA  
IB — VBE  
IC — VBE  
VCE(sat) — IC  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
60  
100  
IC/IB=10  
VCE=10V  
Ta=25˚C  
VCE=10V  
25˚C  
30  
10  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Ta=75˚C  
–25˚C  
3
1
0.3  
0.1  
Ta=75˚C  
25˚C  
–25˚C  
0.03  
0.01  
0
0
0.6  
1.2  
1.8  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
0.1  
0.3  
1
3
10  
30  
100  
(
V
)
( )  
V
(
)
Base to emitter voltage VBE  
Base to emitter voltage VBE  
Collector current IC mA  
hFE — IC  
fT — IE  
Cre — VCE  
240  
200  
160  
120  
80  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
2.4  
Ta=25˚C  
IC=1mA  
f=10.7MHz  
Ta=25˚C  
VCE=10V  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
VCE=10V  
6V  
Ta=75˚C  
25˚C  
–25˚C  
40  
0
0.1  
0.3  
1
3
10  
30  
100  
0.1  
0.3  
1
3
10  
30  
100  
0.1  
0.3  
1
3
10  
30  
100  
(
)
(
)
( )  
Collector to emitter voltage VCE V  
Collector current IC mA  
Emitter current IE mA  
2

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