Datasheet > 2SC2615

2SC2615

更新时间： 2024-01-26 06:48:21

品牌	Logo	应用领域
SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	124K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC2615 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SC2615 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2615

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

400

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter sustaining voltage I_C=0.2A; I_B=0

Emitter-base breakdown voltage

I_E=10mA; I_C=0

Collector-emitter saturation voltage I_C=4A ;I_B=0.8A

1.0

1.5

0.1

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=4A ;I_B=0.8A

V_CB=400V; I_E=0

V_EB=5V; I_C=0

I_EBO

h_FE-1

I_C=4A ; V_CE=5V

I_C=8A ; V_CE=5V

h_FE-2

DC current gain

123

下载PDF

与2SC2615相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC2616	ISC	isc Silicon NPN Power Transistor	获取价格
2SC2618	HITACHI	Silicon NPN Epitaxial	获取价格
2SC2618	RENESAS	Silicon NPN Epitaxial	获取价格
2SC2618	KEXIN	Silicon NPN Epitaxial	获取价格
2SC2618	TYSEMI	Low frequency amplifier. Collector-base voltage VCBO 35 V	获取价格
2SC2618_11	RENESAS	Silicon NPN Epitaxial	获取价格