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2SC2335K

更新时间： 2024-02-27 07:33:38

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其他 - ETC		晶体晶体管
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6页	119K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 500V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220AB

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2SC2335K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	40 W
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

2SC2335K 数据手册

2SC2335

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

Parameter

Symbol

V^CEO(SUS)

V^CEX(SUS)1

Conditions

MIN.

400

450

TYP.

MAX.

Unit

Collector to emitter voltage

I^C= 3.0 A, I^B1= 0.6 A, L = 1 mH

I^C= 3.0 A, I^B1= −I^B2= 0.6 A,

V^BE(OFF)= −5.0 V, L = 180 µH, clamped

I^C= 6.0 A, I^B1= 2.0 A, −I^B2= 0.6 A,

Collector to emitter voltage

V^CEX(SUS)2

400

V^BE(OFF)= −5.0 V, L = 180 µH, clamped

µA

Collector cutoff current

I^CBO

I^CER

I^CEX1

I^CEX2

V^CB= 400 V, I^E= 0 A

1.0

V^CE= 400 V, R^BE= 51 Ω, T^A= 125°C

V^CE= 400 V, V^BE(OFF)= −1.5 V

V^CE= 400 V, V^BE(OFF)= −1.5 V,

T^A= 125°C

1.0

µA

Emitter cutoff current

DC current gain

Collector saturation voltage

Base saturation voltage

Turn-on time

I^EBO

h^FE1

h^FE2

h^FE3

V^CE(sat)

V^BE(sat)

t^on

V^EB= 5.0 V, I^C= 0 A

V^CE= 5.0 V, I^C= 0.1 A^Note

V^CE= 5.0 V, I^C= 1.0 A^Note

V^CE= 5.0 V, I^C= 3.0 A^Note

I^C= 3.0 A, I^B= 0.6 A^Note

1.0

1.2

1.0

2.5

1.0

I^C= 3.0 A, R^L= 50 Ω,

I^B1= −I^B2= 0.6 A, V^CC≅ 150 V

Refer to the test circuit.

µs

Storage time

t^stg

Fall time

t^f

Note Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2%

h^FECLASSIFICATION

Marking

h^FE2

20 to 40

30 to 60

40 to 80

SWITCHING TIME (t^on, t^stg, t^f) TEST CIRCUIT

Base current

waveform

Collector current

waveform

Data Sheet D14861EJ2V0DS

123 4 5 6

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