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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1618 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1618 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1619 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1619 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1621 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| 2SC1621 | NEC |
获取价格 |
HIGH SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
|
| 2SC1621 | TYSEMI |
获取价格 |
High speed : tstg=20ns MAX.Collector to base voltage VCBO 40 V |
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| 2SC1621-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SC1621B2 | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SC1621B2-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
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