Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC1472(K)BRR

2SC1472(K)BRR

更新时间： 2024-09-28 13:02:59

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
6页	175K
描述
300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN

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2SC1472(K)BRR 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	5000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

2SC1472(K)BRR 数据手册

2SC1472(K)

Silicon NPN Epitaxial, Darlington

REJ03G0688-0200

(Previous ADE-208-1054)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

High gain amplifier

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-A

(Package name: TO-92 (1))

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

300

°C

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

i_C(peak)

P_C

500

150

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC1472(K)RF	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC1472(K)RF	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SC1472(K)RR	RENESAS	获取价格	300mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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