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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | WITH AGC CLASSIFICATION | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-PRDB-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | NPN | 最小功率增益 (Gp)： | 14 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 900 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1070(1) | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC1070(1)Q | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC1070(2) | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC1070(2)F | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC1070(B)K | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC1070(B)L | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC1070B | NEC |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2SC1072S | ETC |
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| 2SC1079 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1079 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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