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2SC1070(B)K

更新时间: 2024-02-23 23:47:12
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-4

2SC1070(B)K 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC PACKAGE-4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
其他特性:WITH AGC CLASSIFICATION最大集电极电流 (IC):0.02 A
基于收集器的最大容量:0.8 pF集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-PRDB-F4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
极性/信道类型:NPN最小功率增益 (Gp):14 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):900 MHzBase Number Matches:1

2SC1070(B)K 数据手册

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