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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.51 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 4000 |
| JEDEC-95代码： | TO-226 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB865-AE | ONSEMI |
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TRANSISTOR 1500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226, BIP General Purpose Sm |
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| 2SB867 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB867 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB867 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB867_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB867_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB868 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB868 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB868 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB868_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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