Datasheet > 2SB867

2SB867

更新时间： 2024-01-06 00:43:15

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	153K
描述
Silicon PNP Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB867 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB867

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SD959

·Excellent linearity of h_FE

APPLICATIONS

·For power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-130

-80

UNIT

Open base

Open collector

-7

Collector current (DC)

Collector current -peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-3

I_CM

-6

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与2SB867相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB867_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB867_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB868	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB868	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB868	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB868_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB868_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB869	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB869	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB869	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors