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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB798_11 | UTC |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR |
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| 2SB798_15 | UTC |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR |
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| 2SB798DK | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SB798DK-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, MI |
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| 2SB798DK-T1 | RENESAS |
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1000mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN |
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| 2SB798DK-T1-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| 2SB798DK-T1-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, MI |
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| 2SB798DK-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
1000mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN |
|
| 2SB798DK-T2 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, MI |
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| 2SB798DK-T2-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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