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2SB649AB(SOT-89)

更新时间： 2024-11-19 14:50:47

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Transistor

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2SB649AB(SOT-89) 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	60
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SB649AB(SOT-89) 数据手册

UTC 2SB649 /A

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BIPOLAR POWER GENERAL

PURPOSE TRANSISTOR

APPLICATIONS

* Low frequency power amplifier complementary pair with

UTC 2SB669/A

SOT-89

1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS _{(Ta=25°C, unless otherwise specified )}

PARAMETER

Collector-base voltage

SYMBOL

RATING

-180

UNIT

VCBO

Collector-emitter voltage

2SB649

VCEO

-120

-160

2SB649A

Emitter-base voltage

Collector current

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

VEBO

lc_(peak)

TSTG

-5

-1.5

-3

150

°C

-55 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS _{(Ta=25°C, unless otherwise specified)}

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)CBO

TEST CONDITIONS

I_C=-1mA, I_E=0

MIN TYP MAX UNIT

Collector to bse breakdown voltage

Collector to emitter breakdown

-180

I_C=-10mA, R_BE=∞

voltage

2SB649

V_(BR)CEO

-120

-160

-5

2SB649A

Emitter to base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_{(BR) EBO}

ICBO

I_E=-1mA, I_C=0

µA

VCB=-160V, IE=0

-10

hFE1

VCE=-5V, Ic=-150mA (note)

VCE=-5V, Ic=-500mA (note)

VCE=-5V, Ic=-150mA (note)

VCE=-5V, Ic=-500mA (note)

320

2SB649

DC current gain

hFE2

hFE1

hFE2

200

2SB649A

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Current gain bandwidth product

Output capacitance

VCE(sat) Ic=-600mA, IB=-50mA

-1

-1.5

MHz

VBE

VCE=-5V, Ic=-150mA

VCE=-5V,Ic=-150mA

VCB=-10V, IE=0, f=1MHz

140

Cob

UTC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R208-035,A

12 3 4

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