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2SB558

更新时间： 2024-02-14 21:22:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	200K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB558 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistors

2SB558

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -100V(Min)

·High Power Dissipation-

: P_C= 60W(Max)@T_C=25℃

·Complement to Type 2SD428

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier applications.

·Recommended for 40W high-fidelity audio frequency

amplifier output stage.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-100

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Emitter Current-Continuous

-7

I_E

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-65~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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