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2SB560

更新时间： 2024-09-22 14:54:03

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
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2页	654K
描述
双极型晶体管

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2SB560 技术参数

极性：		Collector-emitter breakdown voltage：	80
Collector Current - Continuous：	0.7	DC current gain - Min：	#
DC current gain - Max：		Transition frequency：
Package：	TO-92MOD	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

2SB560 数据手册

2SB560

TO-92MOD Transistor (PNP)

TO-92MOD

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

5.800

6.200

8.400

8.800

0.900

1.100

Features

0.400

0.600

High reverse voltage

13.800

14.200

Low saturation voltage

Suitable universal AF power amplifier use

1.500 TYP

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

2.900

3.100

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

-100

-80

Units

0.000

0.380

1.600

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

0.400

0.500

4.700

5.100

-5

1.730

2.030

4.000

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-0.7

Dimensions in inches and (millimeters)

P_C

900

T_J

150

℃

T_stg

Storage Temperature

-55-150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

-100

-80

-5

MAX

UNIT

V_(BR)CBOI_C= -10 uA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C= -1 mA, I_B=0

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)EBO

I_CBO

I_E= -10 μA, I_C=0

V_CB= -20 V , I_E=0

V_EB= -4V , I_B=0

-1

μA

Collector cut-off current

I_EBO

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

V_CE= -5V, I_C= -50mA

V_CE= -5V, I_C= -500mA

I_C=-500 mA, I_B= -50mA

V_CE=-10V, I_C=-50mA

V_CB= -10 V ,f=1MH_Z

560

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

-0.3

-0.85

100

-0.8

-1.2

MHz

Out capacitance

Cob

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

60 - 120

100 - 200

160 - 320

280 - 560

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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