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2SB560E

更新时间: 2024-02-01 05:35:18
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三洋 - SANYO 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 409K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR

2SB560E 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):280最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.9 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

2SB560E 数据手册

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