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2SB1567

更新时间： 2024-01-30 12:25:09
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 67K
描述
Power Transistor (−100V , −2A)

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2SB1567 数据手册

  
2SB1580 / 2SB1316 / 2SB1567  
Transistors  
Power Transistor (−100V , −2A)  
2SB1580 / 2SB1316 / 2SB1567  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Darlington connection for high DC current gain.  
2) Built-in resistor between base and emitter.  
3) Built-in damper diode.  
2SB1580  
4.0  
2.5  
1.0  
0.5  
( )  
1
4) Complements the 2SD2195 / 2SD1980 / 2SD2398.  
(
)
2
3
(
)
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−100  
−100  
−8  
Unit  
V
V
V
A(DC)  
A(Pulse) ∗1  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−2  
−3  
2
Collector current  
2SB1580  
IC  
2SB1316  
∗2  
W
1
10  
5.5  
1.5  
Collector  
2SB1316  
W(Tc=25°C)  
W
W(Tc=25°C)  
P
C
power  
dissipation  
2
20  
2SB1567  
0.9  
Junction temperature  
Storage temperature  
°C  
°C  
Tj  
Tstg  
150  
−55∼+150  
C0.5  
∗
∗
1
Single pulse Pw=100ms  
When mounted on a 40 x 40 x 0.7 mm ceramic board.  
0.8Min.  
1.5  
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
2
2.5  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
9.5  
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SB1580  
MPT3  
1k ∼ 10k  
BN∗  
2SB1316  
CPT3  
1k ∼ 10k  
−
2SB1567  
Package  
TO-220FN  
1k ∼ 10k  
hFE  
Marking  
Code  
−
−
2SB1567  
10.0  
4.5  
T100  
TL  
2.8  
3.2  
φ
Basic ordering unit (pieces)  
1000  
2500  
500  
∗
Denotes hFE  
1.2  
1.3  
0.8  
2.54  
!Circuit schematic  
0.75  
( )  
(1) Base Gate  
2.54  
2.6  
C
(
) (  
)
(
2
3
1
)
(
)
)
(2) Collector Drain  
(
(
) ( )  
( )  
1 2  
3
(3) Emitter Source  
ROHM : TO-220FN  
B
R1  
R2  
E
R
1
2
3.5kΩ B : Base  
C : Collector  
E : Emitter  
R
300Ω  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
−
−
−
−
−
−
−
−10  
−3  
−1.5  
10000  
−
V
V
µA  
mA  
V
I
I
V
V
I
V
V
C
C
= −50µA  
−100  
−100  
−
−
−
1000  
−
= −5mA  
CB = −100V  
EB = −7V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
Emitter cutoff current  
I
V
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Output capacitance  
C
/I  
CE = −2V , I  
CB = −10V , I  
B
= −1A/−1mA  
= −1A  
= 0A , f = 1MHz  
*
*
h
−
35  
−
pF  
C
Cob  
E
∗
Measured using pulse current.  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1567C7 ROHM

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