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2SB1568

更新时间： 2024-09-23 22:52:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 79K
描述
Power Transistor (−80V, −4A)

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2SB1568 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.43
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：1000JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：30 W
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：12 MHzVCEsat-Max：1.5 V
Base Number Matches：1

2SB1568 数据手册

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2SB1568  
Transistors  
Power Transistor (−80V, −4A)  
2SB1568  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
z Features  
1) Available in TO-220 FN package  
2) Darling connection provides high  
dc current gain (hFE)  
10.0  
4.5  
2.8  
φ3.2  
3) Damper diode is incorporated  
4) Built in resistors between base and  
emitter  
1.2  
1.3  
5) Two millimeters lower than TO-220 FP  
which allows higher density mounting  
6) Complementary pair with 2SD2399  
0.8  
(1) Base (Gate)  
(2) Collector (Drain)  
(3) Emitter (Sourse)  
2.54  
2.54  
0.75  
2.6  
( ) ( ) ( )  
1 2 3  
ROHM : TO-220FN  
zApplications  
Power amplifler  
zAbsolute maximum rating (Ta=25 C)  
zEquivalent circuit  
°
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Limits  
Unit  
C
Collector  
Collector  
-
-
base voltage  
−80  
−80  
−7  
−4  
−6  
2
V
V
emitter voltage  
Emitter  
-
base voltage  
V
B
A(DC)  
A(Pulse)  
Collector current  
∗
ICP  
R
1
R2  
E
W(Ta=25°C)  
W(Tc=25°C)  
PC  
Collector dissipation  
30  
R
1
2
=
=
3kΩ  
300Ω  
B
C
E
:
:
:
Base  
Collector  
Emitter  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
R
Tstg  
−55 to +150  
zElectrical characteristics (unless otherwise noted, Ta=25°C)  
Max.  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
Min.  
Typ.  
Unit  
V
Conditions  
Collector−base  
−80  
−
−
I
C
= −50µA  
= −1mA  
breakdown voltage  
Collector−emitter  
BVCEO  
BVEBO  
−80  
−
−
V
I
I
C
E
breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
DC current gain  
−7  
−
−
−
−
−
−
V
= −5mA  
CB = −80V  
EB = −5V  
−100  
−3  
I
CBO  
EBO  
µA  
mV  
V
V
I
1
1
∗
∗
Collector−emitter  
h
FE  
1000  
5000  
−3  
−
V
CE= −3V, I = −2A  
C
breakdown voltage  
Collector−emitter  
V
CE(sat)  
−
−1.0  
10000  
V
I
C
/I  
CE= −5V, I  
CB= −10V, I  
B
= −2A/ −4mA  
saturation voltage  
1
2
T∗ ∗  
−1.5  
−
Transition frequency  
Output capacitance  
f
−
−
12  
35  
MHz  
pF  
V
V
E
= 0.5A, f=10MHz  
Cob  
E
= 0A, f=1MHz  
∗
∗
1 Measured using pulse current.  
2 Transition frequency of the device.  
Rev.A  
1/3  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1568C7 ROHM

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2SB1568C7K ROHM

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