2SB1567K

更新时间： 2024-09-24 13:04:11

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	67K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FN, 3 PIN

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2SB1567K 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220FN
包装说明：	TO-220FN, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB1567K 数据手册

2SB1580 / 2SB1316 / 2SB1567

Transistors

Power Transistor (−100V , −2A)

2SB1580 / 2SB1316 / 2SB1567

!Features

!External dimensions (Units : mm)

1) Darlington connection for high DC current gain.

2) Built-in resistor between base and emitter.

3) Built-in damper diode.

2SB1580

4.0

2.5

1.0

0.5

( )

4) Complements the 2SD2195 / 2SD1980 / 2SD2398.

(

)

(

)

(1) Base(Gate)

(2) Collector(Drain)

(3) Emitter(Source)

!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

−100

−8

Unit

A(DC)

A(Pulse) ∗1

VCBO

VCEO

VEBO

−2

−3

Collector current

2SB1580

2SB1316

∗2

5.5

1.5

Collector

2SB1316

W(Tc=25°C)

power

dissipation

2SB1567

0.9

Junction temperature

Storage temperature

°C

Tstg

150

−55∼+150

C0.5

∗

Single pulse Pw=100ms

When mounted on a 40 x 40 x 0.7 mm ceramic board.

0.8Min.

1.5

(1) Base(Gate)

(2) Collector(Drain)

(3) Emitter(Source)

2.5

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

9.5

!Packaging specifications and h^FE

Type

2SB1580

MPT3

1k ∼ 10k

BN∗

2SB1316

CPT3

1k ∼ 10k

−

2SB1567

Package

TO-220FN

1k ∼ 10k

hFE

Marking

Code

−

2SB1567

10.0

4.5

T100

2.8

3.2

Basic ordering unit (pieces)

1000

2500

500

∗

Denotes hFE

1.2

1.3

0.8

2.54

!Circuit schematic

0.75

( )

(1) Base Gate

2.54

2.6

(

) (

)

(

)

(

)

(2) Collector Drain

(

) ( )

( )

1 2

(3) Emitter Source

ROHM : TO-220FN

3.5kΩ B : Base

C : Collector

E : Emitter

300Ω

!Electrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Collector cutoff current

BV^CBO

BVCEO

−

−10

−3

−1.5

10000

−

µA

= −50µA

−100

−

1000

−

= −5mA

CB = −100V

EB = −7V

CBO

EBO

CE(sat)

Emitter cutoff current

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

Output capacitance

CE = −2V , I

CB = −10V , I

= −1A/−1mA

= −1A

= 0A , f = 1MHz

−

Cob

∗

Measured using pulse current.

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