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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.79 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | VCEsat-Max： | 0.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB12955 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236VAR |
|
| 2SB12956 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236VAR |
|
| 2SB12957 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236VAR |
|
| 2SB1296 | SANYO |
获取价格 |
AF Amp Applications |
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| 2SB1296S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SPAK |
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| 2SB1296T | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SPAK |
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| 2SB1296U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SPAK |
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| 2SB1297 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
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| 2SB1297Q | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SB1297R | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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