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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 16 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.35 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1301-T1ZQ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| 2SB1301-T1ZR | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| 2SB1301-T2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| 2SB1301-T2ZQ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| 2SB1301-T2ZR | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| 2SB1301ZP | NEC |
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3000mA, 16V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
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| 2SB1301ZQ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| 2SB1301ZR | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| 2SB1302 | TYSEMI |
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Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. |
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| 2SB1302 | SANYO |
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High-Current Switching Applications |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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