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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SB1236A
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2SB1236A

更新时间： 2024-01-07 20:36:28
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
Power Transistor (−160V , −1.5A)

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2SB1236A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：3 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：82
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

2SB1236A 数据手册

 浏览型号2SB1236A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1236A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB1236A的Datasheet PDF文件第4页 
2SB1275 / 2SB1236A  
Transistors  
zElectrical characteristics curves  
−10  
−5  
−1.0  
1000  
VCE= −5V  
Ta=25°C  
Ta=25°C  
500  
−0.8  
−0.6  
−0.4  
−2  
−1  
200  
100  
50  
P =1W  
C
−10mA  
−9mA  
−8mA  
−7mA  
V
CE  
=
−10V  
−0.5  
−5mA  
−4mA  
−0.2  
−0.1  
20  
10  
5
−5V  
−3mA  
−2mA  
−1mA  
−0.05  
−0.2  
−0.02  
−0.01  
2
1
I
B
= 0mA  
−3  
0
0
−1  
−2  
−4  
−5  
0
−0.2 −0.4 −0.6 −0.8 −1.0 −1.2 −1.4 −1.6 −1.8  
−0.01 −0.02  
−0.05 −0.1 −0.2 −0.5 −1  
−2  
−5  
−10  
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)  
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(A)  
Fig.1 Ground emitter output characteristics  
Fig.2 Ground emitter propagation characteristics Fig.3 DC current gain vs. collector current (  
)
1000  
−10  
−5  
−10  
−5  
V
CE  
= −10V  
Ta=  
25°C  
IC/IB=10  
500  
25°C  
200  
100  
50  
Ta=100°C  
−2  
−1  
−2  
25°C  
−1 Ta= −25°C  
−25°C  
V
BE(sat)  
−0.5  
−0.5  
100°C  
I
C/I  
B
=50  
20  
10  
5
−0.2  
−0.1  
−0.2  
−0.1  
Ta  
=
100°C  
20  
10  
V
CE(sat)  
−0.05  
−0.05  
25°C  
−
25°C  
2
1
−0.02  
−0.01  
−0.02  
−0.01  
−0.01 −0.02  
−0.05 −0.1 −0.2 −0.5 −1  
−2  
−5  
−10  
−0.01 −0.02  
−0.05 −0.1 −0.2 −0.5 −1  
−2  
−5  
−10  
−0.01 −0.02  
−0.05 −0.1 −0.2 −0.5 −1  
−2  
−5  
−10  
COLLECTOR CURRENT : I (A)  
C
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(A)  
COLLECTOR CURRENT : IC (A)  
Fig.4 DC current gain vs. collector current (  
)
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage  
vs. collector current  
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
vs. collector current  
1000  
−10  
1000  
V
Ta  
CE= −5  
V
25°C  
f
I
=1MHz  
∗
−5  
Ic Max. (Pulse  
)
=
500  
E
=0  
A
500  
∗
Pw=10ms  
Ta  
=
25°C  
−2  
200  
100  
50  
200  
100  
50  
−1  
−0.5  
∗
100ms  
−0.2  
−0.1  
DC  
20  
10  
5
20  
10  
5
−0.05  
−0.02  
−0.01  
−0.005 Ta=25°C  
∗
Single  
NONREPETITIVE  
PULSE  
2
1
2
1
−0.1  
−0.002  
−0.001  
−0.2  
−0.5  
−1  
−2  
−5  
−10 −20  
−50 −100  
−0.1 −0.2  
−0.5 −1  
−2  
−5  
−10  
−20 −50 −100  
−200 −500 −1000  
1
2
5
10  
20  
50  
100  
200  
500 1000  
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)  
EMITTER CURRENT : I  
E
(mA)  
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)  
Fig.9 Safe operating area (2SB1236A)  
Fig.8 Collector output capacitance vs.  
collector-base voltage  
Fig.7 Resistance raito vs. emmiter current  
Rev.A  
2/3  
1234

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