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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.01 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1202-R-TM3-T | UTC |
功能相似  |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SB1202 | UTC |
功能相似 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1202G-R-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/ |
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| 2SB1202G-S-T6C-K | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB1202G-S-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/ |
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| 2SB1202G-T-TN3-R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/ |
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| 2SB1202G-X-T6C-K | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SB1202G-X-TM3-T | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SB1202G-X-TN3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SB1202G-X-TN3-T | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SB1202L-R-T6C-K | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SB1202L-R-T6C-R | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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