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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1170H | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1170P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB1170Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB1170R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
|
| 2SB1170TX | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1171 | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB1171A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB1171AH | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB1171AP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB1171AQ | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
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