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2SB1116

更新时间： 2024-09-30 02:57:43
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SECOS 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 75K
描述
PNP Plastic Encapsulated Transistor

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2SB1116 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.36
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：81JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：70 MHzBase Number Matches：1

2SB1116 数据手册

  
2SB1116  
-1A , -60V  
PNP Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-23  
FEATURES  
ꢀ
High current surface mount PNP silicon switching transistor  
for Load management in portable applications  
A
L
3
3
Top View  
C B  
1
CLASSIFICATION OF hFE  
1
2
2
K
F
E
2SB1116-L  
2SB1116-K  
200~400  
2AB1116-U  
300~600  
Product-Rank  
Range  
135~270  
D
H
G
J
MARKING  
Millimeter  
Min. Max.  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
-
0.40  
0.08  
Max.  
0.18  
0.60  
0.20  
1116  
A
B
C
D
E
F
2.70  
2.10  
1.20  
0.89  
1.78  
0.30  
3.04  
2.80  
1.60  
1.40  
2.04  
0.50  
G
H
J
K
L
Collector  
0.6 REF.  
0.85  
1.15  
3
PACKAGE INFORMATION  
Package  
MPQ  
3K  
Leader Size  
7 inch  
1
Base  
SOT-23  
2
Emitter  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector - Base Voltage  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
V
-60  
-50  
-6  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction, Storage Temperature  
-1  
350  
A
PC  
mW  
°C  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
IC= -100µA, IE=0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-60  
-
-
V
V
-50  
-
-
IC= -1mA, IB=0  
-6  
-
-
-0.1  
-0.1  
600  
-
V
IE= -100µA, IC=0  
VCB= -60V, IE=0  
-
-
µA  
µA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
-
VEB= -6V, IC=0  
135  
-
VCE= -2V, IC= -100mA  
VCE= -2V, IC= -1A  
IC= -1A, IB = -50mA  
IC= -1A, IB = -50mA  
VCE= -2V, IC= -50mA  
DC Current Gain  
hFE  
81  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base -emitter voltage  
Transition frequency  
Collector Output Capacitance  
Turn-on time  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE  
fT  
-
-
-
-0.3  
-1.2  
-0.7  
-
V
V
V
-
-0.6  
-
70  
-
-
MHz VCE= -2V,IC= -100mA  
Cob  
tON  
25  
0.07  
0.7  
0.07  
-
pF  
VCB= -10V, IE=0, f=1MHz  
-
-
VCC= -10V,IC= -100mA,  
IB1=-IB2= -0.01A, VBE(off)=2~3V  
Storage time  
tS  
-
-
µS  
Fall time  
tf  
-
-
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
27-Aug-2012 Rev. A  
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