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2SA1858Q

更新时间： 2024-01-27 00:57:39

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其他 - ETC		晶体晶体管
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3页	49K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 300V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| TO-92VAR

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2SA1858Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.07 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1858Q 数据手册

Transistor

2SA1858

Silicon PNP epitaxial planer type

For general amplification

Unit: mm

5.0±0.2

4.0±0.2

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

●

0.7±0.1

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–300

–5

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

0.45⁺^–0⁰^.^.¹¹⁵

1.27

0.45⁺^–0⁰^.^.¹¹⁵

1.27

–100

–70

I_C

1:Emitter

2:Collector

3:Base

2 3

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

2.54±0.15

T_j

150

˚C

TO–92NL Package

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CEO

Conditions

min

–300

–5

typ

max

Unit

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

I_C= –100µA, I_B= 0

V_EBO

I_E= –1µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= –10V, I_C= –5mA

150

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

_C= –10mA, I_B= –1mA

– 0.6

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= –10V, I_E= 10mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

30 ~ 100

60 ~ 150

12 3

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