2SA1860

更新时间： 2024-02-07 14:54:04

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描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SA1860 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

2SA1860 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA1860

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -150V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SC4886

APPLICATIONS

·Designed for audio and general purpose applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-150

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-14

I_B

-3

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T_J

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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