2SA1860Y

更新时间： 2024-11-11 13:04:07

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描述
Transistor

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2SA1860Y 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

2SA1860Y 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA1860

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -150V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SC4886

APPLICATIONS

·Designed for audio and general purpose applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-150

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-14

I_B

-3

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T_J

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SA1861P	ROHM	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 400V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SIP
2SA1861T105/N	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1861T105/P	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1861T105N	ROHM	获取价格	2A, 400V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2SA1862	ROHM	获取价格	High-voltage Switching Transistor (−400V, −2A)
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2SA1862/NP	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,