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2SA1635

更新时间： 2024-01-07 07:57:59

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	115K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1635 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220FP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1635 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1635

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_{BE sat}

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

-80

-5

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter breakdown voltage I_C=-1mA ,I_B=0

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_E=-0.1mA ,I_C=0

I_C=-2A; I_B=-0.2A

V_CB=-80V; I_E=0

-1.5

-10

µA

I_EBO

V_EB=-5V; I_C=0

-10

h_FE

DC current gain

I_C=-1A ; V_CE=-4V

I_E=0 ; V_CB=-10V;f=1MHz

I_C=-0.5A ; V_CE=-12V

320

C_OB

Output capacitance

f_T

Transition frequency

MHz

ꢀ h_FEClassifications

60-120

100-200

160-320

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SA1635/DE	ROHM	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
2SA1635/E	ROHM	4A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP, TO-220FP, 3 PIN	获取价格
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