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2SA1489

更新时间： 2024-02-20 23:17:54

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	144K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1489 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.89
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz

2SA1489 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1489

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_CEsat

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter breakdown voltage I_C=-50mA ;I_B=0

-80

Collector-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=-2A; I_B=-0.2A

V_CB=-80V; I_E=0

V_EB=-6V; I_C=0

-1.5

-100

µA

I_EBO

h_FE

I_C=-2A ; V_CE=-4V

I_C=0.5A ; V_CE=-12V

f_T

Transition frequency

MHz

Switching times

t_on

Turn-on time

0.25

0.5

µs

I_C=-3A;R_L=10Ω

I_B1=-I_B2=-0.3A

V_CC=30V

t_s

Storage time

Fall time

t_f

0.1

123

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