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2SA1492Y

更新时间： 2024-11-20 18:23:07

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三垦 - SANKEN		/
页数	文件大小	规格书
1页	28K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT100, TO-3P, 3 PIN

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2SA1492Y 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	MT100, TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	180 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1492Y 数据手册

2 S A1 4 9 2

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3856)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions MT-100(TO3P)

■Electrical Characteristics

■

(Ta=25°C)

Ratings

Unit

Symbol

Ratings

–100max

–180min

50min

Conditions

Unit

µA

±0.2

4.8

±0.4

15.6

±0.1

2.0

9.6

V^CBO

VCEO

VEBO

–180

I^CBO

V^CB=–180V

–180

IEBO

V^EB=–6V

–6

V(BR)CEO

hFE

I^C=–50mA

±0.1

ø3.2

–15

V^CE=–4V, IC=–3A

I^C=–5A, IB=–0.5A

V^CE=–12V, IE=0.5A

V^CB=–10V, f=1MHz

VCE(sat)

–2.0max

20typ

–4

130(Tc=25°C)

150

MHz

°C

COB

500typ

+0.2

-0.1

+0.2

-0.1

Tstg

–55 +150

1.05

0.65

1.4

hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)

±0.1

5.45

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 6.0g

a. Part No.

V^CC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

I^B2

(A)

ton

(µs)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–40

–10

–1

0.6typ

0.9typ

0.2typ

–

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

I^CV^BETemperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–15

–10

–5

– 3

–10

–5

–2

–1

–50mA

I^B=–20mA

IC=–10A

–5A

–1

–2

–3

–4

–0.5

–1.0

–1.5

–2.0

–1

–2

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

200

300

125˚C

25˚C

Typ

100

–30˚C

100

0.5

–0.02

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

–0.1

–0.5 –1

–5 –10 –15

–0.1

–0.5 –1

Collector Current I^C(A)

–5 –10 –15

Collector Current I^C(A)

–

f^TIE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

–40

130

100

–10

–5

Typ

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

3.5

–0.1

–3

–10

–100

–200

0.02

0.1

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current IE(A)

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