2SA1190-E

更新时间： 2024-01-22 23:47:06

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日立 - HITACHI		晶体小信号双极晶体管
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10页	47K
描述
SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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2SA1190-E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1190-E 数据手册

2SA1190, 2SA1191

Collector Cutoff Current vs.

Collector to Base Voltage

Collector Cutoff Current vs.

Collector to Emitter Voltage

–10.000

–1,000

–100

–10

–1,000

–100

–10

R_BE= ∞

I_E= 0

Ta = 75°C

–25

–1.0

–1

–0.1

–20

–40

–60

–80

–100

–20

–40

–60

–80

–100

Collector to Base Voltage V_CB(V)

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

Emitter Cutoff Current vs.

Emitter to Base Voltage

Collector to Emitter Breakdown Voltage vs.

Base to Emitter Resistance

–1,000

–100

–10

–190

–180

–170

–160

–150

–140

Typical Value

I_C= 0

_C= –1 mA

Ta = 75°C

–1.0

–25

–0.1

–2

–4

–6

–8

–10

100

1 k

10 k

100 k

Emitter to Base Voltage V_EB(V)

Base to Emitter Resistance R_BE(Ω)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1190ERF	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1190ERR	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1190ERR	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SA1190ETZ-E	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA1190RF	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
2SA1190RF	RENESAS	100mA, 90V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格