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2SA1052MCTR-E

更新时间： 2024-01-14 20:38:54

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瑞萨 - RENESAS		/
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6页	162K
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Silicon PNP Epitaxial

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2SA1052MCTR-E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.41	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	280 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1052MCTR-E 数据手册

2SA1052

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G0634-0300

(Previous ADE-208-1006A)

Rev.3.00

Aug.10.2005

Application

Low frequency amplifier

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

–30

Unit

–30

–5

–100

100

°C

Emitter current

I_E

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

Tstg

–55 to +150

Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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与2SA1052MCTR-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1052MCUL	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SA1052MD	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SA1052MD	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
2SA1052MDTR	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SA1052MDTR-E	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA1060	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格