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2SA1012Y(TO-251)

更新时间: 2024-01-01 06:11:12
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4页 129K
描述
Transistor

2SA1012Y(TO-251) 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):5 A最小直流电流增益 (hFE):120
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):25 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NOBase Number Matches:1

2SA1012Y(TO-251) 数据手册

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UTC2SA1012  
SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR  
CLASSIFICATION OF hFE1  
RANK  
O
Y
RANGE  
70 - 140  
120 - 240  
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS  
2
UTC  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD  
QW-R213-012,A  

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