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2N7290H1

更新时间: 2024-02-01 21:23:30
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瑞萨 - RENESAS 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 114K
描述
5A, 500V, 1.42ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA

2N7290H1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
其他特性:RADIATION HARDENED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:1.42 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-257AAJESD-30 代码:R-MSFM-P3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):15 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N7290H1 数据手册

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